铭芯启睿泰山一号RRAM芯片完成流片 技术实现里程碑

2026年10月12日，国内专注于存储芯片研发的企业正式宣布，其基于1TnR技术路线打造的首代高密度大容量RRAM芯片“泰山一号”已完成流片，这一事件标志着该企业在新型存储芯片领域的研发实现了从实验室到量产级产品的关键跨越。

作为技术转化的重要里程碑，“泰山一号”所采用的1TnR技术具有核心创新点：通过多个阻变存储单元共享选择晶体管，大幅提升了单位面积内的存储容量；同时，该技术采用与CMOS平台完全兼容的后道集成方案，成功实现了高密度、大容量与低成本的三重优势兼顾，解决了以往存储芯片难以同时平衡这三项核心指标的行业难题。

这款芯片的性能表现同样亮眼：它采用28nm CMOS工艺制造，采用1T4R单元结构，单芯片容量达到1Gb，存储密度可达30Mb/mm²，访问延迟控制在20ns以内；此外，芯片还集成了片上硬件纠错电路，在保障大容量、高密度存储的基础上，进一步优化了高速读取的稳定性，为片上高密度大容量新型非易失存储应用提供了具备国际竞争力的可行解决方案。

目前，“泰山一号”已顺利完成流片工序，相关验证工作正在有序推进中。